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今天我們看待日本時(shí)，會自然而然地認(rèn)為這是一個(gè)技術(shù)上的先發(fā)國家，像歐美一樣在面對著中國緊迫的追趕時(shí)露出了慌張的神色。但當(dāng)我們深深透視這個(gè)國家的技術(shù)發(fā)展史時(shí)，就會發(fā)現(xiàn)它的過去與我們何其相似！都是快速成長為制造業(yè)大國的后發(fā)國家，都是在貿(mào)易上被美國政府制裁過的后發(fā)國家，都是在技術(shù)上遭受過美國狙擊的后發(fā)國家。這個(gè)國家長期“山寨”美國產(chǎn)品，長期對眾多國外工業(yè)品實(shí)施高額關(guān)稅，并不斷出臺產(chǎn)業(yè)政策干預(yù)生產(chǎn)和研發(fā)，它的首都曾經(jīng)樓市火熱，它的財(cái)團(tuán)買下過紐約的標(biāo)志性建筑。這一切，是不是似曾相識？其實(shí)，作為后發(fā)國家，日本在自主創(chuàng)“芯”過程中也曾搞過“舉國體制”。

由政府牽頭，將多個(gè)具有競爭關(guān)系的民間企業(yè)以及國立科研院所結(jié)合在一起組建“研究組合（Research Consortium）”，即技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟，共同進(jìn)行關(guān)鍵共性技術(shù)的開發(fā)是日本推進(jìn)自主創(chuàng)新，迎接貿(mào)易自由化和投資自由化挑戰(zhàn)的一種重要模式，曾引起了國際社會的廣泛關(guān)注。其中，日本通商產(chǎn)業(yè)省（現(xiàn)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。?/span>在上個(gè)世紀(jì)極力推進(jìn)的“超大規(guī)模集成電路（VLSI）技術(shù)研究組合”被認(rèn)為是奠定日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭力基礎(chǔ)的經(jīng)典之作。

以下，擬通過考察日本的“VLSI技術(shù)研究組合”這個(gè)典型案例，深入揭示日本政府與民間企業(yè)合作，面向國家戰(zhàn)略需求和世界科技前沿，組建創(chuàng)新聯(lián)盟，開展集智創(chuàng)新，取得重大突破的一些特點(diǎn)，以期為我國自主創(chuàng)“芯”、突破封鎖提供一些啟示。

(1) 追趕計(jì)算機(jī)巨人IBM

1964年，美國IBM公司宣布使用了集成電路（IC）的第三代計(jì)算機(jī)360系統(tǒng)問世。同一年，法國最大的計(jì)算機(jī)生產(chǎn)商被美國通用電氣公司（GE）收購。這使日本政府深刻地意識到本國企業(yè)在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域所存在的巨大差距，從而堅(jiān)定了無論如何也要保護(hù)和培育國內(nèi)計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)的決心。

經(jīng)過一段時(shí)間的醞釀，日本通產(chǎn)省于1966年啟動了“超高性能電子計(jì)算機(jī)的開發(fā)” 大型項(xiàng)目研究。該項(xiàng)目的目標(biāo)非常明確，就是開發(fā)出可同IBM360系列競爭的高性能第三代計(jì)算機(jī)。此項(xiàng)目通產(chǎn)省直接支付給參與企業(yè)的補(bǔ)助金總額高達(dá)100億日元。在通產(chǎn)省所屬工業(yè)技術(shù)院電子技術(shù)綜合研究所以及民間企業(yè)、高等院校的共同努力下，1972年預(yù)期目標(biāo)總算得以實(shí)現(xiàn)。

但在1970年，IBM又開發(fā)出了使用大規(guī)模集成電路（LSI）的370系列計(jì)算機(jī)。于是，日本通產(chǎn)省又被迫啟動了數(shù)個(gè)與計(jì)算機(jī)相關(guān)的大型項(xiàng)目研究，如1971年的“圖像信息處理系統(tǒng)的開發(fā)”。該項(xiàng)目跨度為十年，總補(bǔ)助金額為220億日元。1972年，通產(chǎn)省又創(chuàng)設(shè)了“電子計(jì)算機(jī)新機(jī)種開發(fā)促進(jìn)費(fèi)補(bǔ)助金制度”。其主要內(nèi)容是，在1972-76年的四年里，拿出570億日元的補(bǔ)助金用于資助富士通和日立、日本電氣（NEC）和東芝、三菱電機(jī)和沖電氣三個(gè)企業(yè)聯(lián)盟分別從事IBM370系列對抗機(jī)型的開發(fā)。在此補(bǔ)助金的援助下，日本計(jì)算機(jī)生產(chǎn)企業(yè)的技術(shù)能力獲得了快速提升。

但在幾近趕上IBM370的水準(zhǔn)之時(shí)，又傳來了IBM將著手開發(fā)第四代計(jì)算機(jī)“未來系統(tǒng)”的消息。該型計(jì)算機(jī)計(jì)劃使用M比特的超大規(guī)模集成電路（VLSI），而日本企業(yè)當(dāng)時(shí)在IBM370對抗機(jī)種中使用的只不過是16K的LSI。這意味著日本的集成電路技術(shù)與美國存在著相當(dāng)大的差距，如果不能在此關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得突破，日本企業(yè)想超越IBM根本不可能。

(2)難以縮小的集成電路差距

實(shí)際上，早在基爾比（J. S. Kilby）和諾伊斯（R. N. Noyce）發(fā)明集成電路的第二年，也就是1960年，日本就開始了IC的研究。1960年，日本晶體管的年產(chǎn)量突破1億個(gè)，連續(xù)兩年超過了美國。此時(shí)，日本半導(dǎo)體企業(yè)沒有料到美國在1962年就跨入了IC的實(shí)用化時(shí)代。

1964年，基爾比所在的德州儀器公司（TI）向日本政府提出，要在日本設(shè)立全資公司生產(chǎn)IC。由于日本企業(yè)此時(shí)尚未啟動IC的生產(chǎn)，出于培育國內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)的考慮，通產(chǎn)省對TI的設(shè)廠申請極力拖延。與此同時(shí)，日本政府利用融資優(yōu)惠、稅收優(yōu)惠等手段開始積極引導(dǎo)本國企業(yè)從事IC的研發(fā)和批量生產(chǎn)。TI在獨(dú)資設(shè)廠受阻的情況下，決定拒絕將IC基本專利轉(zhuǎn)讓給日本企業(yè)。而日本政府則尋找口實(shí)遲遲不批準(zhǔn)其在日本提出的IC專利申請，以致日本企業(yè)在國內(nèi)從事IC的生產(chǎn)無需太多地顧忌專利侵權(quán)問題。

1968年，TI見到躋身IC生產(chǎn)領(lǐng)域的日本企業(yè)越來越多，自己的先發(fā)優(yōu)勢正在日益減弱，決定接受通產(chǎn)省提出的同日本企業(yè)合資設(shè)廠的要求。此時(shí)，日方也擔(dān)心TI會以專利侵權(quán)為理由阻止日本的IC關(guān)聯(lián)產(chǎn)品出口到美國，故很快同TI達(dá)成了妥協(xié)。協(xié)議的結(jié)果是，TI同SONY對半出資建廠，并將IC專利轉(zhuǎn)讓給NEC、日立、東芝等日本企業(yè)。這樣，1968年起日本企業(yè)公開從事IC生產(chǎn)、銷售的條件便完全具備了。由于IC生產(chǎn)還涉及到仙童公司（FC）和西部電子（WE）的基本專利，而這些專利費(fèi)加在一起占到了銷售額的10%；加上無法像美國企業(yè)那樣可以獲得大量的軍用和宇宙開發(fā)用訂單，日本企業(yè)的IC生產(chǎn)雖然在1960年代后期全面啟動了，但規(guī)模一直上不去，價(jià)格也缺少競爭力。1968年，日本的IC產(chǎn)值只有美國的一成。

進(jìn)入1970年后，日本的IC研發(fā)和生產(chǎn)情況發(fā)生了顯著變化。這主要是因?yàn)槿毡镜腎C下游廠家使用集成電路完成了一系列重大技術(shù)創(chuàng)新。如夏普、卡西歐等公司1970年前后陸續(xù)將使用LSI的電子計(jì)算器推向市場。這種計(jì)算器不僅功能強(qiáng)大，而且價(jià)格便宜，受到了消費(fèi)者的追捧。精工集團(tuán)也在這一期間推出了使用IC、乃至LSI的電子手表，一些家用電器公司也在彩電IC化方面取得了成功。這些民用電子產(chǎn)品的熱銷拉動了日本國內(nèi)的IC，尤其是LSI的研發(fā)和生產(chǎn)。這一時(shí)期，日本產(chǎn)IC的銷售額快速攀升。1971年，日本產(chǎn)IC的銷售額只有432億日元，但1973年就翻了一倍，達(dá)946億日元。不過，電子計(jì)算器、電子表等民用品需要的主要都是一些諸如MOS-IC/LSI之類的低速廉價(jià)產(chǎn)品，在計(jì)算機(jī)、測量器械、控制裝置用邏輯電路比較多、速度比較快的雙極數(shù)字式集成電路產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)方面，日本仍然明顯落后于美國。即使在用MOS-IC/LSI生產(chǎn)計(jì)算機(jī)用存儲器領(lǐng)域，日本也不是美國的對手。例如，1974年前后，日本的企業(yè)雖然也參與了計(jì)算機(jī)用4K動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的競爭，但其4KDRAM產(chǎn)值只占到全球的10%，而美國企業(yè)卻占據(jù)了全球的85%。

正當(dāng)日本企業(yè)為難以縮小日美集成電路技術(shù)差距而懊惱之際，聽說IBM又要開發(fā)VLSI技術(shù)，這著實(shí)令日本上下大吃一驚。

(3)“VLSI 技術(shù)研究組合”的誕生

VLSI生產(chǎn)技術(shù)與LSI存在著很大的差異，它必須使用電子束、或X射線進(jìn)行投影曝光；必須開發(fā)新型感光材料和精密檢測裝置，以及大口徑硅片、微塵清除技術(shù)等。而這一切，對日本的企業(yè)來講幾乎全是陌生的。日本企業(yè)如果不能攻克這些技術(shù)難題，那么其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，乃至整個(gè)民用電子工業(yè)都將會受制于美國。如何尋找破解之道，便成了擺在日本政府、半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)以及學(xué)者面前的緊迫課題。

VLSI的研發(fā)，需要的資金十分龐大。它不是個(gè)別企業(yè)所能承受得起的。如果政府不給予強(qiáng)有力的支援，日本的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)根本就不可能形成競爭力。欲在半導(dǎo)體領(lǐng)域縮小同美國的技術(shù)差距，拯救計(jì)算機(jī)這個(gè)幼稚但又至關(guān)重要的產(chǎn)業(yè)，政府必須采取非常措施，與企業(yè)以及科研機(jī)構(gòu)一起協(xié)同行動。這在當(dāng)時(shí)已成了日本學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界乃至政府的一個(gè)共識。

為此，日本通產(chǎn)省在機(jī)械情報(bào)產(chǎn)業(yè)局下面專門設(shè)立了一個(gè)叫作“電子情報(bào)課”的處室，負(fù)責(zé)策劃計(jì)算機(jī)及其關(guān)鍵部件VLSI存儲器的開發(fā)方略。當(dāng)時(shí)，與通產(chǎn)省存在競爭關(guān)系的郵政省系統(tǒng)的電信電話公司（NTT的前身）已啟動了VLSI項(xiàng)目援助計(jì)劃，但由于可投入資金有限，最終同意由通產(chǎn)省牽頭推進(jìn)VLSI的研發(fā)。這樣，通產(chǎn)省提出的設(shè)立“下一代電子計(jì)算機(jī)用VLSI開發(fā)促進(jìn)費(fèi)補(bǔ)助金”的預(yù)算案很快就獲得通過。為具體落實(shí)這一計(jì)劃，通產(chǎn)省于1975年7月成立了包含多名產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界人士在內(nèi)的“VLSI研究開發(fā)政策委員會”。經(jīng)該委員會充分醞釀，通產(chǎn)省最終決定于1976年3月10日成立由政府和民間企業(yè)共同出資的共同研究開發(fā)組織——“VLSI技術(shù)研究組合”。

參加“VLSI技術(shù)研究組合”的企業(yè)全部由通產(chǎn)省選定。它們是日本電氣、東芝、日立、富士通、三菱電機(jī)。除美國獨(dú)資公司日本IBM外，幾乎囊括了日本境內(nèi)所有的大型半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)。同時(shí)，通產(chǎn)省還決定在“研究組合”下面設(shè)立一個(gè)研究基地——“共同研究所”，由通產(chǎn)省所屬的工業(yè)技術(shù)院電綜研和各參加企業(yè)負(fù)責(zé)派遣科研人員組成。盡管日本早先已成立了很多形形色色的“研究組合”，但由存在競爭關(guān)系的企業(yè)各自派遣研究人員組成相對穩(wěn)定的共同研究所置于“研究組合”之下，這還是第一次。

(1)組織架構(gòu)

“VLSI技術(shù)研究組合”的最高管理機(jī)構(gòu)是理事會，由各大公司的總裁和通產(chǎn)省的代表組成，理事會的主席由理事輪流擔(dān)任，秘書長由通產(chǎn)省出身的離職官員擔(dān)任。理事會下設(shè)運(yùn)營企劃委員會，其成員由各公司分管半導(dǎo)體工作的副總裁級人物以及通產(chǎn)省管轄的電綜研相關(guān)負(fù)責(zé)人組成。他們每月至少碰頭一次，就“研究組合”中的重大事項(xiàng)進(jìn)行商議、拍板。為提高議事、決策效率，運(yùn)營企劃委員會設(shè)立了兩個(gè)專門委員會——經(jīng)營委員會和技術(shù)委員會，前者專責(zé)行政事務(wù)，后者專責(zé)技術(shù)研發(fā)。

“VLSI技術(shù)研究組合”中凡適于由中立者擔(dān)任的職務(wù)均由通產(chǎn)省出身的人員出任。如理事會秘書長由通產(chǎn)省離職官員根橋正人擔(dān)任，常設(shè)技術(shù)研發(fā)機(jī)構(gòu)——共同研究所所長則由電綜研半導(dǎo)體裝置研究室主任垂井康夫擔(dān)任。根橋長期擔(dān)任通產(chǎn)省行政官員，具有豐富的大型項(xiàng)目管理經(jīng)驗(yàn)和很強(qiáng)的組織協(xié)調(diào)能力，且人際關(guān)系極熟。垂井作為電綜研的半導(dǎo)體裝置研發(fā)部門負(fù)責(zé)人，曾參與、主持了多個(gè)大型半導(dǎo)體研發(fā)項(xiàng)目的研究，對各大半導(dǎo)體企業(yè)中的技術(shù)骨干情況了如指掌，對國際LSI的發(fā)展動向也相當(dāng)熟悉。他們的出身和資歷決定著他們能夠贏得各個(gè)公司的信任與合作。

(2)課題的選擇

通產(chǎn)省設(shè)立VLSI開發(fā)促進(jìn)費(fèi)補(bǔ)助金的目的非常明確，就是只對生產(chǎn)VLSI的共性基礎(chǔ)技術(shù)的研發(fā)予以支持，而且對這種共性基礎(chǔ)技術(shù)的研發(fā)補(bǔ)助控制在總研發(fā)費(fèi)的50%以內(nèi)。通產(chǎn)省認(rèn)為，如果只是對前競爭階段的技術(shù)研發(fā)予以補(bǔ)助，而且補(bǔ)助額度只是少量的，不至于給國際社會留下日本政府在大規(guī)模補(bǔ)貼半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)的口實(shí)。在這種思路的影響下，“VLSI技術(shù)研究組合”強(qiáng)調(diào)，課題的選擇必須突出基礎(chǔ)性和共性兩大特征。其實(shí)，這也是參與企業(yè)的共同要求。因?yàn)橹挥醒芯扛髯远紝媾R的共性技術(shù)問題，參與企業(yè)才會有興趣；而且如果研究的只是一些基礎(chǔ)性問題，企業(yè)就用不著擔(dān)心自己的特有技術(shù)會在共同研發(fā)過程中被競爭對手學(xué)去。

經(jīng)過反復(fù)討論，參與企業(yè)認(rèn)識到，共同研究所的研究目標(biāo)應(yīng)鎖定在10到20年內(nèi)有實(shí)用化可能的1MDRAM的技術(shù)研發(fā)上；至于各企業(yè)內(nèi)部的研發(fā)機(jī)構(gòu)則應(yīng)把研究重點(diǎn)放在64KDRAM和256KDRAM的實(shí)用化技術(shù)研發(fā)上。為此，首先，必須攻克高精度加工技術(shù)，以大幅提升芯片的集成度；其次，必須解決硅片的大口徑化問題；此外，還應(yīng)解決LSI乃至VLSI的設(shè)計(jì)、工藝處理、檢測與評價(jià)以及裝置設(shè)計(jì)等技術(shù)問題。

由于高精度加工技術(shù)和單晶硅結(jié)晶技術(shù)屬于核心基礎(chǔ)技術(shù)，所以“VLSI技術(shù)研究組合”決定交由共同研究所攻關(guān)解決。設(shè)計(jì)技術(shù)屬于非共性技術(shù)，故由各參與企業(yè)所屬研發(fā)機(jī)構(gòu)自行組織攻關(guān)。至于工藝處理技術(shù)、檢測評價(jià)技術(shù)、裝置設(shè)計(jì)技術(shù)等，除其中的一些基礎(chǔ)性、或共性問題由共同研究所負(fù)責(zé)外，其余均由各企業(yè)的研究機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)解決。

(3)人才的選拔

“VLSI技術(shù)研究組合”內(nèi)負(fù)責(zé)共性基礎(chǔ)技術(shù)研究的共同研究所設(shè)在NEC中央研究所院內(nèi)，定員為100人左右，主要承擔(dān)，1、高精度加工技術(shù)；2、硅結(jié)晶技術(shù)；3、工藝處理技術(shù)；4、檢測評價(jià)技術(shù)；5、裝置設(shè)計(jì)技術(shù)等五個(gè)方面的研發(fā)任務(wù)。

共同研究所要求五個(gè)參與企業(yè)各推薦一名研究室主任級人選，研究室成員則由各研究室主任挑選。但由于參與企業(yè)擔(dān)心自身的技術(shù)外流而失去技術(shù)優(yōu)勢，故不愿意將本企業(yè)最優(yōu)秀的技術(shù)骨干推薦到共同研究所任職。最后由共同研究所所長垂井康夫提出初步名單，經(jīng)通產(chǎn)省相關(guān)部門出面協(xié)調(diào)，才確定室主任級人選。但是，在如何安排五個(gè)研究室主任人選時(shí)又遇到了麻煩，因?yàn)槲逦皇抑魅魏蜻x人為了本單位的利益都爭搶著要擔(dān)任高精度加工這個(gè)核心技術(shù)研發(fā)部門的主任。結(jié)果，“VLSI技術(shù)研究組合”決定在共同研究所內(nèi)設(shè)置相互獨(dú)立的三個(gè)高精度加工技術(shù)研究室，由有過半導(dǎo)體精密加工設(shè)備研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的日立、富士通、東芝三家公司的室主任候選人各負(fù)責(zé)一個(gè)。硅結(jié)晶技術(shù)屬于最為基礎(chǔ)的技術(shù)，該研究室主任最終決定由電綜研的科研人員出任。三菱電機(jī)和NEC的室主任候選人則負(fù)責(zé)剩下的工藝處理技術(shù)研究室和檢測評價(jià)與裝置設(shè)計(jì)技術(shù)研究室。

三個(gè)并列的高精度加工設(shè)備研究室的成員主要從室主任所在的企業(yè)中抽調(diào)，余下的兩家企業(yè)則分別加入其中。由于余下的兩家企業(yè)在高精度加工領(lǐng)域起步晚，不構(gòu)成威脅，故三家先行企業(yè)均沒有表示排斥。至于另外三個(gè)研究室的成員，則打破企業(yè)界限，盡量從五家參與企業(yè)中等額抽調(diào)。

(4)研究經(jīng)費(fèi)

“VLSI技術(shù)研究組合”從1976年設(shè)立起至1980年宣布解散為止的四年里，總事業(yè)費(fèi)約為720億日元。其中由通產(chǎn)省補(bǔ)助金資助的數(shù)額就高達(dá)291億日元，約占總事業(yè)費(fèi)的40%。其余事業(yè)費(fèi)則由參加企業(yè)平均分擔(dān)。這四年里通產(chǎn)省補(bǔ)助金總支出為592億日元，也就是說通產(chǎn)省拿出了手中一半的補(bǔ)助金用于支持VLSI的研發(fā)?！癡LSI技術(shù)研究組合”的總事業(yè)費(fèi)若按四年進(jìn)行平均，每年約為180億日元。而在其成立前的1975年，日本半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家的IC關(guān)聯(lián)年間研究開發(fā)投資合計(jì)為215億日元，年間設(shè)備投資合計(jì)為114億日元。很明顯，“研究組合”的年間事業(yè)費(fèi)規(guī)模占據(jù)了當(dāng)時(shí)整個(gè)日本半導(dǎo)體研究開發(fā)事業(yè)費(fèi)中的一個(gè)相當(dāng)高的比重，足可以稱得上是一個(gè)超大規(guī)模的研究開發(fā)項(xiàng)目。

1980年“研究組合”解散后，為了消化“研究組合”的研究成果，并將其實(shí)用化，五家企業(yè)在政府停止提供開發(fā)促進(jìn)費(fèi)補(bǔ)助金的情況下，至1986年項(xiàng)目完全中止時(shí)為止，又自行追加了總額達(dá)600億日元的研發(fā)投入。

(5)研究方式

盡管“VLSI技術(shù)研究組合”需要研究的課題有很多，但其最為重視的乃半導(dǎo)體高精度加工設(shè)備的研發(fā)。當(dāng)時(shí)，日本廠家充其量只能制造線寬為2微米的半導(dǎo)體加工設(shè)備，但要生產(chǎn)1MDRAM，必須將線寬降到1微米以下。研發(fā)如此高精度的加工設(shè)備難度很大，風(fēng)險(xiǎn)很高。為確保四年內(nèi)如期攻克這一技術(shù)難關(guān)，三個(gè)高精度加工技術(shù)研究室圍繞著同一個(gè)目標(biāo)從不用的角度發(fā)起了沖鋒。三支隊(duì)伍爭先恐后地相互競爭，后來反而取得了很多意想不到的收獲。

共同研究所承擔(dān)的研究任務(wù)不一定都要由研究所內(nèi)部的研究人員來完成，也可以委托給其他研究機(jī)構(gòu)。事實(shí)上，共同研究所曾將不少研究項(xiàng)目交給了集成電路生產(chǎn)的上游企業(yè)，如擁有光學(xué)設(shè)備加工技術(shù)優(yōu)勢的理光和佳能，擁有電子束掃描技術(shù)優(yōu)勢的日本電子，擁有平版印刷技術(shù)優(yōu)勢的大日本印刷公司和凸版印刷公司，以及擁有硅結(jié)晶加工優(yōu)勢的信越半導(dǎo)體和大阪鈦金屬公司等。結(jié)果，雖然直接參加“研究組合”的只有五家大型企業(yè)，但是很多上游企業(yè)，尤其是半導(dǎo)體裝置生產(chǎn)企業(yè)和半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)都程度不同地被動員起來了。此外，一些半導(dǎo)體裝置生產(chǎn)企業(yè)的上游公司，如光源設(shè)備制造公司、檢測設(shè)備制造公司等也都先后參與進(jìn)來了。據(jù)稱，四年里與“VLSI技術(shù)研究組合”掛鉤，參與合作研究開發(fā)的上游企業(yè)數(shù)多達(dá)50余家。

(6)組織協(xié)調(diào)

將存在競爭關(guān)系的企業(yè)組織到一起從事共同研究開發(fā)，存在很多困難。在協(xié)調(diào)彼此關(guān)系方面，通產(chǎn)省出身的官員和電綜研的科研人員做了大量的工作。為促進(jìn)研究交流，他們每隔一到兩周，便將各研究室科研人員組織到一起匯報(bào)交流各自的研究進(jìn)展。三個(gè)高精度加工技術(shù)研究室雖被相互隔開，但采用的是無墻隔離，研究人員可以自由地進(jìn)入其他研究室參觀、訪談。而且無塵室也是共用的，它也成了一個(gè)重要的交流場所。此外，通產(chǎn)省出身的官員和電綜研的科研人員還經(jīng)常發(fā)起戶外旅行、節(jié)假日聚會等聯(lián)誼活動，以縮小來自于各個(gè)企業(yè)的科研人員之間的心理距離。經(jīng)過精心策劃，共同研究所逐漸變成了一個(gè)“組織”，并在迎接共同的對手——IBM的挑戰(zhàn)過程中最終走到了一起。很明顯，在共同研究所，五個(gè)企業(yè)之間的競爭乃一種良性競爭。競爭的結(jié)果不是勝者驅(qū)逐敗者，而是實(shí)現(xiàn)了共贏。

(1)在光刻裝置和大口徑晶圓的研制上取得了突破

“VLSI技術(shù)研究組合”的最大功績可謂是成功地開發(fā)出了半導(dǎo)體加工過程中的關(guān)鍵設(shè)備——縮小投影型光刻裝置（Stepper）。為開發(fā)這種精密裝置，“VLSI技術(shù)研究組合”以勢在必奪之勢在共同研究所內(nèi)組建了相互獨(dú)立的三支團(tuán)隊(duì)。三支團(tuán)隊(duì)研發(fā)半導(dǎo)體加工裝置的技術(shù)路線雖然不盡相同，但都取得了重大突破。這些技術(shù)突破為日本后來在縮小投影型光刻裝置、乃至整個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域確立優(yōu)勢地位奠定了基礎(chǔ)?！癡LSI技術(shù)研究組合”啟動以前，日本半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的80%左右依賴從美國進(jìn)口，但到了1980年代中期全部半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備都實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化，至1980年代末日本的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的世界市場占有率超過了50%。1980年，全球半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備銷售額最高的十大公司中，日本只有1家；1989年迅速增長到5家。如以縮小投影型光刻裝置這項(xiàng)關(guān)鍵設(shè)備為例，1980年前幾乎全部從美國進(jìn)口，但從1985年開始，日本的國際市場占有率便超過了美國，到2000年時(shí)，除荷蘭的AMSL外，生產(chǎn)、銷售這種關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備的廠家都是清一色的日本公司。

在晶圓大口徑化方面，“VLSI技術(shù)研究組合”也取得了不小的成績。今天，人們在媒體上經(jīng)常會聽到或看到有關(guān)16吋或20吋晶圓的報(bào)道，而且對此不會感到太多的驚訝。但是，1970年代中期，有研究認(rèn)為晶圓的口徑最大只能做到6吋。“VLSI技術(shù)研究組合”硬是沖破了這種思想框框，在1980年首次開發(fā)出了口徑達(dá)到8吋（200mmm）的晶圓。不僅如此，“研究組合”還就氧和碳等元素對硅結(jié)晶的影響進(jìn)行了探討，并對晶圓大口徑化后的生產(chǎn)技術(shù)難題進(jìn)行了深入的研究。這些都為1980年代日本半導(dǎo)體材料生產(chǎn)行業(yè)的崛起提供了強(qiáng)有力的支撐。1985年日本半導(dǎo)體材料的世界市場占有率就達(dá)到了60%，兩年后又進(jìn)一步上升到了70%以上。日本半導(dǎo)體材料生產(chǎn)行業(yè)能夠從1980年代后期開始稱霸世界，不能不在一定程度上歸功于“VLSI技術(shù)研究組合”的成立。

(2)在存儲器生產(chǎn)銷售領(lǐng)域大幅超越了美國

在接受政府研發(fā)補(bǔ)助的四年里，“VLSI技術(shù)研究組合”的專利申請數(shù)達(dá)1210件，商業(yè)秘密的申請數(shù)達(dá)347件。由于“研究組合”的專利，參加企業(yè)均可無償使用，因此它對參加企業(yè)整體技術(shù)水準(zhǔn)的提升發(fā)揮了非常重要的作用。不僅如此，參加企業(yè)共同作業(yè)，互相交流，最終都達(dá)到了取別人之長，補(bǔ)自己之短的目的。這樣一來，1980年之初，參加“VLSI技術(shù)研究組合”的企業(yè)在芯片加工領(lǐng)域基本上都站在了同一起跑線上。有趣的是這些企業(yè)開始商業(yè)化生產(chǎn)時(shí)，都把主要力量投放到存儲器，尤其是DRAM上了。由于微處理器的生產(chǎn)需要較高的設(shè)計(jì)能力，在“研究組合”掌握的知識很難發(fā)揮太大的作用，故這些企業(yè)沒有在此領(lǐng)域投入太多的人力和物力，以至于后來日本的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)出現(xiàn)了一頭強(qiáng)一頭弱的局面。也即，在存儲器方面，日本企業(yè)的實(shí)力明顯高于美國，但在微處理器方面，除占據(jù)了一定的微處理器生產(chǎn)設(shè)備的市場份額外，基本上沒有形成什么競爭力。

雖說日本企業(yè)在微處理器生產(chǎn)領(lǐng)域表現(xiàn)不佳，但由于在共同研發(fā)過程中逐漸掌握了集成電路的高精度加工以及晶圓大口徑化、印刷電路的快速檢測等技術(shù)，故在存儲器生產(chǎn)領(lǐng)域取得了驕人的成績。前已述及，1970年代中期日本企業(yè)的4KDRAM的銷售額只占全球的10%。但在16K的DRAM中，由于NEC、富士通、日立等奮起直追，日本企業(yè)的全球銷售份額擴(kuò)大到了30%以上。到了1970年代后期，日本企業(yè)則率先將64K的DRAM推向市場，以至日本企業(yè)的64KDRAM的國際市場占有率攀升到55%，超過了美國。其后，在256KDRAM的競爭中，日本企業(yè)又再接再厲拿下了80%的全球市場份額，迫使英特爾、摩托羅拉等多家美國半導(dǎo)體企業(yè)退出了存儲器領(lǐng)域的競爭。至于“研究組合”作為主要目標(biāo)開發(fā)的1MDRAM，日本企業(yè)則搶占到了近90%的世界銷售份額，遠(yuǎn)遠(yuǎn)地將美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家甩在了后頭。

1979年，日本的集成電路國際貿(mào)易開始出現(xiàn)順差，集成電路對美貿(mào)易順差則出現(xiàn)在1980年。不過，1980年日本集成電路的國際市場占有率只有26%，遠(yuǎn)低于美國的68%。令人吃驚的是，1986年日本半導(dǎo)體產(chǎn)品的國際市場占有率便開始超越美國。其后十年，除個(gè)別年份外，日本的國際市場占有率都一直高于美國。這種狀況直到1995年微軟推出視窗95，英特爾推出與之相配套的改進(jìn)型奔騰處理器之后才發(fā)生了根本性的逆轉(zhuǎn)。存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中市場規(guī)模最大的產(chǎn)品，也是軍工生產(chǎn)中不可或缺的重要器件。日本在此領(lǐng)域取得的成功，不僅為其帶來了巨額的商業(yè)利潤，也為其國際地位的迅速提升立下了汗馬功勞。

(3)為各國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟的成立提供了模式

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起使一向以半導(dǎo)體先進(jìn)國家自居的美國產(chǎn)生了屈辱感。美國認(rèn)為，一旦美國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展受挫，那么在計(jì)算機(jī)、通訊等領(lǐng)域，甚者在國防工業(yè)方面都有可能落于下風(fēng)。因此，美國的企業(yè)界、乃至政界人士紛紛起來指責(zé)日本以組建“研究組合”的方式補(bǔ)貼企業(yè)，實(shí)行不公平競爭。不過，美國有識之士此時(shí)并沒有忘記對這種制度的合理性進(jìn)行深入的檢討。結(jié)果，呼吁緩和反壟斷法對共同研發(fā)的約束的聲音越來越大，以致1984年美國國會通過了《國家合作研究法》（1993年修改后更名為《國家合作研究與生產(chǎn)法》），將溢出效益明顯的共同研究開發(fā)活動合法化。

1987年3月，美國半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會（SIA）根據(jù)國防部國防科學(xué)局的一份調(diào)查報(bào)告的建議決定成立半導(dǎo)體制造技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟——SEMATECH。在5月份提交的計(jì)劃中，SIA明確提出SEMATECH的任務(wù)是在1993年底前攻克64MDRAM技術(shù)，1988-93年間的預(yù)算為每年2億美元，其中的1億由國防部支付，另外1億美元由參加聯(lián)合體的IBM、英特爾等10余家美國企業(yè)按半導(dǎo)體銷售額的高低進(jìn)行分?jǐn)?。美國政府?987年底批準(zhǔn)了該項(xiàng)計(jì)劃。SEMATECH1988年1月啟動后，展開了一系列卓有成效的研究，但是1990年，英特爾出身的董事長諾伊斯突然去世，國防部內(nèi)主管該項(xiàng)工作的國防高級研究項(xiàng)目署署長又被解職，SEMATECH的發(fā)展遇到了不少難題。由于日美兩國的產(chǎn)業(yè)技術(shù)政策、企業(yè)競爭方式、社會文化傳統(tǒng)等存在著較大的差異，效仿“VLSI技術(shù)研究組合”建立起來的SEMATECH后來逐漸擺脫了日本模式的影響，演變成了上下游企業(yè)間的研究聯(lián)合體以及純粹的民營化研發(fā)組織。

“VLSI技術(shù)研究組合”也對歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了重大影響。1986年，半導(dǎo)體產(chǎn)品國際市場占有率的分配是，日本：44%；美國：43%；西歐：9.5%。第二年，美國為了復(fù)興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決定成立SEMATECH。這樣，在半導(dǎo)體領(lǐng)域遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于日美的歐洲便面臨著一個(gè)艱難的抉擇，是繼續(xù)依賴強(qiáng)大的競爭對手日本和美國呢？還是在其中力爭一席之地？

在1988年6月召開的尤里卡部長會議上，歐共體通過了一項(xiàng)由“歐洲聯(lián)合開發(fā)亞微米硅技術(shù)”（JESSI）規(guī)劃小組提出的計(jì)劃方案，并決定從1989年開始付諸實(shí)施。JESSI計(jì)劃的執(zhí)行期間為八年，即從1989-96年；其最終目標(biāo)是在1996年前研制出64MDRAM的實(shí)用化技術(shù)以及其他存儲器生產(chǎn)技術(shù)等。計(jì)劃每年投入6.6億美元左右。其中，50%由參與企業(yè)自籌，25%通過尤里卡項(xiàng)目資助，余額則由參與JESSI的企業(yè)所在國政府支付。參加這項(xiàng)計(jì)劃的歐洲企業(yè)超過了40家，主要研究由德國的西門子、荷蘭的飛利浦、意大利和法國的SGS-湯姆森負(fù)責(zé)擔(dān)綱。但是，該計(jì)劃后來也遇到了很多困難，主要是因?yàn)樗硕鄧g合作研究計(jì)劃，協(xié)調(diào)參加各方的意見和利益費(fèi)時(shí)費(fèi)力，故其最初設(shè)定的在半導(dǎo)體領(lǐng)域趕上日本的目標(biāo)最終未能實(shí)現(xiàn)。

此外，韓國也在1980年代后期模仿日本的“VLSI技術(shù)研究組合”成立了以電子通信研究所（ETRI）為牽頭單位，由三星電子、LG半導(dǎo)體、現(xiàn)代電子、首爾大學(xué)、科學(xué)技術(shù)院以及多家政府機(jī)關(guān)等組成的共同研究開發(fā)組織，主要從事DRAM及其制造設(shè)備和生產(chǎn)材料的研發(fā)。為攻克生產(chǎn)256MDRAM所需的0.25-0.15微米精密加工技術(shù)，韓國1993年組建了以上述產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)為主體的技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟——下一代半導(dǎo)體研究開發(fā)事業(yè)團(tuán)。1993-97年的4年間，韓國政府向該事業(yè)團(tuán)投入了高達(dá)914億韓元的研發(fā)補(bǔ)助金，占其研發(fā)總經(jīng)費(fèi)的47%。與歐美不同，韓國的半導(dǎo)體研究開發(fā)事業(yè)團(tuán)很好地完成了原定計(jì)劃，為韓國半導(dǎo)體工業(yè)在亞洲金融危機(jī)爆發(fā)后迅速崛起奠定了基礎(chǔ)。

(1)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟是一種值得重視的共同研發(fā)組織形式

產(chǎn)學(xué)研合作從事共同研究開發(fā)的形式有很多。過去，我們習(xí)慣于搞大課題制，通過將課題進(jìn)行層層分解的方式將各方面的研究力量凝聚起來。這種形式雖然能夠有效避免重復(fù)研究，但研究力量是分散的，難以形成集聚效應(yīng)。特別是當(dāng)課題進(jìn)行一層一層地分解，并最終落實(shí)到人之后，承擔(dān)不同子課題的科研人員即使是在同一單位，彼此之間也很少交流。結(jié)果，我們也許會有多學(xué)科研究，但很難有交叉研究。

至于將各方面的研究力量抽調(diào)到一起，組建一個(gè)嶄新的科研機(jī)構(gòu)，進(jìn)行聯(lián)合攻關(guān)，這在新中國的歷史上并不罕見。特別是在計(jì)劃經(jīng)濟(jì)年代，在大型軍工研究領(lǐng)域，這種方式更是司空見慣。但由于這種共同研究開發(fā)方式存在著經(jīng)濟(jì)效益不高等諸多問題，故在推行市場經(jīng)濟(jì)的這些年，我們很少采用這種科研組織方式，特別是在民用技術(shù)研發(fā)方面。有沒有一種介于上述兩個(gè)極端之間的共同研究開發(fā)組織形式？通過對日本的“VLSI技術(shù)研究組合”進(jìn)行考察之后，我們得出了肯定的答案。

技術(shù)“研究組合”，即技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟是一種由政府和參加企業(yè)共同出資，以及由產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)豐富的企業(yè)和基礎(chǔ)研究實(shí)力雄厚的公共研究機(jī)構(gòu)共同出人，組建起來的一種非永久性的科研組織。組建后主要從事參與企業(yè)共同關(guān)心的基礎(chǔ)技術(shù)和共性技術(shù)問題的研究，一俟研究目標(biāo)達(dá)成之后便予以解散。它與企業(yè)共同出資組建的具有獨(dú)立法人地位的聯(lián)合研發(fā)機(jī)構(gòu)——科技開發(fā)股份公司不同。最大的區(qū)別在于前者是按照研究需要結(jié)成的非營利性的臨時(shí)組織，研究任務(wù)完成后全體參與人員便攜帶著富有實(shí)用價(jià)值的科研成果各自歸隊(duì)，故通常不會留下太多的包袱。

技術(shù)“研究組合”與那種相互簽訂協(xié)議，明確各自的研究分工和所需承擔(dān)的經(jīng)費(fèi)，然后由企業(yè)分頭進(jìn)行研究的合作研究形式也存在著很大的差異。因?yàn)楦髌髽I(yè)分頭研究往往交流不足，難以發(fā)揮集聚在一起從事共同研究的優(yōu)勢。更重要的是，具有競爭關(guān)系的企業(yè)通常很難走到一起通過締結(jié)協(xié)議的方式進(jìn)行合作研究。而“研究組合”卻擁有很多獨(dú)特的優(yōu)勢。它既可以在中小企業(yè)之間組建，又可以在大型企業(yè)之間組建；既可以在具有互補(bǔ)關(guān)系的企業(yè)之間組建，又可以在具有競爭關(guān)系的企業(yè)之間組建。特別是在具有競爭關(guān)系的大型企業(yè)之間組建的“研究組合”優(yōu)勢更為獨(dú)特，這一點(diǎn)“VLSI技術(shù)研究組合”已經(jīng)給出了很好的說明。

（2）官民合作組建技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟可部分彌補(bǔ)市場機(jī)制的缺失

最近，“制度重于技術(shù)”的觀點(diǎn)在國內(nèi)比較流行。有學(xué)者認(rèn)為，在計(jì)劃經(jīng)濟(jì)體制下,根本沒有辦法使技術(shù)進(jìn)步常規(guī)化和制度化。因?yàn)榱?xí)慣于計(jì)劃經(jīng)濟(jì)思維方式的人總以為加快技術(shù)進(jìn)步的辦法，就是以政府為主導(dǎo)，規(guī)劃科學(xué)和技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)，確定關(guān)鍵性的科研課題，動員足夠的人力、物力、財(cái)力支持企業(yè)或者自行組織“攻關(guān)”。實(shí)際上，這是對技術(shù)進(jìn)步機(jī)制的一種誤解。技術(shù)進(jìn)步不能靠政府指令,也不能靠政府的優(yōu)惠政策,而要靠市場競爭和盈利激勵(lì), 使每個(gè)企業(yè)都主動根據(jù)價(jià)格信號來選擇最適當(dāng)?shù)募夹g(shù),并改進(jìn)產(chǎn)品和工藝。這種對計(jì)劃經(jīng)濟(jì)時(shí)代種種弊端的批評可謂一針見血，所提出的政府應(yīng)當(dāng)注意充分發(fā)揮市場調(diào)節(jié)機(jī)能的觀點(diǎn)值得人們高度重視。但是，日本“VLSI技術(shù)研究組合”的成功經(jīng)驗(yàn)告訴我們，即使是市場機(jī)制比較完善的國家，也難以完全依靠市場調(diào)解機(jī)制解決諸如半導(dǎo)體精密加工這類投資大、風(fēng)險(xiǎn)高的技術(shù)創(chuàng)新問題。否則，重視市場機(jī)制的歐美各國也就不要學(xué)習(xí)日本，組建SEMATECH、JESSI之類高新技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟了。

實(shí)際上，政府與企業(yè)合作成立技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟進(jìn)行共同研究開發(fā)可以在一定程度上解決單靠自由競爭難以解決的同行企業(yè)合作研發(fā)問題，并可收到一些特殊的功效。

首先，參加“研究組合”的同行企業(yè)將資金和人才集聚到一起，可以在研究開發(fā)上形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)。企業(yè)獨(dú)自搞研發(fā)雖然可以獨(dú)享研究成果所帶來的利益，但往往會因資金和人才有限不得不放棄很多有前途的技術(shù)研發(fā)。而與其他企業(yè)攜手組建“研究組合”后，企業(yè)則可突破很多制約，進(jìn)軍一些投資大、難度高的技術(shù)領(lǐng)域。

其次，同行企業(yè)結(jié)成“研究組合”共同研究關(guān)鍵技術(shù)，可以避免重復(fù)投資，降低研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)。企業(yè)為了搶占新興市場會爭先恐后地參與該領(lǐng)域的研發(fā)競爭，導(dǎo)致眾多企業(yè)在同一研究領(lǐng)域投入大量的研發(fā)資金。如果參與企業(yè)選擇的技術(shù)路徑相近，在勝者通吃的情況下，那些研發(fā)進(jìn)度不如意的企業(yè)就很難獲得預(yù)期的研發(fā)投資回報(bào)，從而造成社會資源的嚴(yán)重浪費(fèi)。

再者，同行企業(yè)結(jié)成“研究組合”可以減少技術(shù)專有對社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展造成的負(fù)面影響，而且還有助于企業(yè)間的默會知識的交流。

（3）同行企業(yè)組建技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟政府和公共研究機(jī)構(gòu)不宜缺位

盡管企業(yè)結(jié)成“研究組合”會獲得不少利益，但是這些利益通常并不足以打動那些具有競爭關(guān)系的企業(yè)。要想將這些具有競爭關(guān)系的企業(yè)結(jié)合到一起組成“研究組合”，必須先幫助它們克服諸如心理、制度等方面的障礙。這一點(diǎn)在“VLSI技術(shù)研究組合”成立過程中已有明顯的體現(xiàn)。

所謂心理方面的障礙，主要是指企業(yè)擔(dān)心在從事共同研究開發(fā)過程中喪失掉自身的技術(shù)優(yōu)勢，或者交納一定的研發(fā)經(jīng)費(fèi)后得不到應(yīng)有的回報(bào)。這個(gè)顧慮不打消，企業(yè)就不會愿意把最優(yōu)秀的科研人員選派到“研究組合”，并會極力爭取那些自身實(shí)力本來不強(qiáng)的研究項(xiàng)目以提升企業(yè)的競爭力。如果參加企業(yè)對“研究組合”設(shè)定的研發(fā)目標(biāo)等沒有信心，認(rèn)為所研發(fā)的技術(shù)在可預(yù)見的未來根本沒有實(shí)用化的可能，那它參加“研究組合”的積極性必將會大打折扣。

所謂制度方面的障礙，主要是指具有競爭關(guān)系的企業(yè)結(jié)成“研究組合”很容易被視為意欲實(shí)行行業(yè)壟斷，阻礙市場競爭的行為。而一旦被視作為阻礙市場競爭的行為，依據(jù)國內(nèi)的反壟斷法又將會受到重罰，或者被外國企業(yè)以違反WTO相關(guān)規(guī)定為由提起訴訟，那么企業(yè)對參加“研究組合”一事將會慎之又慎。

因此，具有競爭關(guān)系的大型企業(yè)結(jié)成共同研究開發(fā)組織時(shí)，政府不可缺位。盡管企業(yè)不一定有參與“研究組合”的積極性，但是政府可以通過發(fā)放研究補(bǔ)助金、制定稅收優(yōu)惠政策以及立法將前競爭階段的共同研發(fā)納入許可范圍等方式來加以推動。

“VLSI技術(shù)研究組合”的成功還證明價(jià)值中立且不以營利為目的的公共研究所參與“研究組合”以第三者的身份和超然的立場來協(xié)調(diào)企業(yè)與企業(yè)之間的利益沖突，推動研發(fā)活動的順利開展非常重要。沒有公共研究機(jī)構(gòu)從中斡旋、穿針引線，“研究組合”的共同研發(fā)效率很難提高，甚至連課題的設(shè)置與分工等具體問題都難以解決。

美國的SEMATECH，由于沒有政府官員的強(qiáng)力介入，以及公共半導(dǎo)體技術(shù)研究院所居中協(xié)調(diào)，故其運(yùn)作沒有日本的“VLSI技術(shù)研究組合”那樣協(xié)調(diào)。歐洲的JESSI沒有達(dá)成預(yù)期目標(biāo)的原因則是，JESSI乃多國技術(shù)合作組織，企業(yè)所在國的中央政府和公共研究院所很難發(fā)揮太大的影響。而韓國在半導(dǎo)體共同研究開發(fā)中所取得的成功，則在很大程度上要?dú)w功于政府的大力支持以及韓國電子通信研究所的不懈努力。

上個(gè)世紀(jì)七十年代，日本在技術(shù)上堪稱是后發(fā)國家。為了迅速縮小與美國的技術(shù)差距，日本通過組建技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟的方式將具有競爭關(guān)系的大中型企業(yè)聯(lián)合起來集智攻關(guān)，最終不僅在光刻裝置和大口徑晶圓的研制上取得了突破，確定了自己的獨(dú)特技術(shù)優(yōu)勢，而且還在半導(dǎo)體存儲器的生產(chǎn)與銷售領(lǐng)域大幅超越了美國，搶占了很多原本屬于美國的市場份額，為“日本可以說NO”提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。

日本為我們提供了非常好的示范。面對美國的技術(shù)挑戰(zhàn)，中國似有必要借鑒日本的成功經(jīng)驗(yàn), 通過組建技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟的方式將產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)豐富的大型骨干企業(yè)和基礎(chǔ)研究實(shí)力雄厚的科研院所、高等院校緊密地聯(lián)系在一起，對半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵共性技術(shù)實(shí)施集智攻關(guān)。日本能夠做到的，相信中國也一定能夠做到！

本文系根據(jù)周程發(fā)表于《中國軟科學(xué)》第206期上的“日本官產(chǎn)學(xué)合作的技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟案例研究”一文修改而成。

周程

北京大學(xué)哲學(xué)系科技史與科技哲學(xué)教授、博導(dǎo)，北京大學(xué)醫(yī)學(xué)人文研究院院長、醫(yī)學(xué)部公共教學(xué)部主任